晶圆硅片红外均匀加热

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晶圆硅片红外均匀加热

日期：2023-11-03 16:49

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这几年我们在苏州，大连以及无锡的客户群体，需要将8寸晶圆外表面均匀加热到一定温度，对加热要求极高，以实现加热后在下一工序中达到更好的效果。

红外线加热具有高效、均匀、可控和非接触的特点，适用于各种硅片的加热需求。因此客户选用了我们的红外线辐射加热器（朗普红外线加热数据库以及光学运算，优化了热源灯丝内部发光体结构、反光板结构以及阵列布灯，使被加热表面接受均值的红线辐射能量，有效降低了温度不均带来的不良工艺质量问题）。

客户加热要求：

1、在直径φ200加热范围内温度均匀性尽量高，温度一致性≤±6℃

2、出具加热模拟方案及热分布模拟结果报告。

3、加热迅速，300秒内加热对象，能快速升温200至400℃。

红外线加热拓扑图.png

于是我们根据客户需求量身定制了加热方案：

1，通过优化灯丝热能分布结构，做到类矩形加热（常规为双尖形），减少中间聚热，两头冷的不均匀热场现象；

2，并通过朗普数据库+光学运算，得出阵列布灯距高比；

3，通过背面弧形光学反光曲率设计，进一步修正辐照场的均匀度；

4，通过电控系统和非接触式测温探头，进行闭环控制，进一步减少温度过冲或者加热不足导致的工艺问题。

硅片加热 (1).jpg

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